MDL | MFCD00011030 |
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InChIKey | YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N |
Inchi | 1S/Ge.2O/q+4;2*-2 |
SMILES | [Ge](=O)=O |
LogP | -0.39340 |
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PSA | 34.14000 |
Merck | 14,4409 |
折射率 | 1.99 |
水溶性 | 0.4 g/100 mL |
沸点 | No data available |
熔点 | >400 °C (lit.) |
闪点 | °C |
溶解度 | ethylene glycol: soluble |
颜色与性状 | 无色结晶,有稍溶于水的六方晶系(低温稳定)和不溶性的正方晶系两种,转变温度为1033℃。 |
溶解性 | 不溶于水,二氧化锗溶于碱中生成锗酸盐。 |
密度 | 4.23 g/cm3 |
精确分子量 | 107.92700 |
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氢键供体数量 | 0 |
氢键受体数量 | 2 |
可旋转化学键数量 | 0 |
同位素质量 | 105.911007 |
重原子数量 | 3 |
复杂度 | 18.3 |
同位素原子数量 | 0 |
确定原子立构中心数量 | 0 |
不确定原子立构中心数量 | 0 |
确定化学键立构中心数量 | 0 |
不确定化学键立构中心数量 | 0 |
共价键单元数量 | 1 |
疏水参数计算参考值(XlogP) | 无 |
互变异构体数量 | 无 |
表面电荷 | 0 |
拓扑分子极性表面积 | 34.1 |
EINECS | 215-180-8 |
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海关编码 | 2825600001 |
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海关数据 |
中国海关编码:2825600001 |
用途 | 用于制金属锗,也用作光谱分析及半导体材料。 |
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生产方法 | 四氯化锗水解法在四氯化锗中加入6.5倍体积的蒸馏水,搅拌后放置一昼夜,生成二氧化锗沉淀,用冷水洗涤至洗液不含Cl-为止。于200℃干燥得到二氧化锗产品。在实验室里制备高纯的二氧化锗,是将市场出售的二氧化锗制成四氯化锗,再将其蒸馏提纯,水解得到的。四氯化锗的蒸馏装置制法 烧瓶内装入二氧化锗和浓盐酸。玻璃管的前端要浸入水里一段,接受槽加少量冰水冷却。边通氯气边蒸馏,取110℃以前的馏分。在蒸馏中为了防止烧瓶中盐酸浓度下降,要时常从滴液漏斗滴加浓盐酸。向流到接受槽的四氯化锗层(黄色)和盐酸溶液层加大量水(H2O∶GeCl4=6 5∶1),摇匀,放置一昼夜。四氯化锗即水解为二氧化锗。过滤,用冷水洗涤,200℃下干燥。 |
PubChemId | 24871912 |
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Beilstein | 215-180-8 |
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