MDL | MFCD00011017 |
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InChIKey | JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N |
Inchi | 1S/As.Ga/q-3;+3 |
SMILES | [As].[Ga] |
LogP | -0.31160 |
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PSA | 0.00000 |
Merck | 14,4347 |
折射率 | 3.57 |
水溶性 | Soluble in hydrochloric acid. Insoluble in water, ethanol, methanol and acetone. |
沸点 | °Cat760mmHg |
熔点 | 1238 ºC |
闪点 | °C |
颜色与性状 | 立方晶系闪锌矿型结晶。无气味。 |
溶解性 | 与水反应 |
密度 | 5.31 g/mL at 25 °C(lit.) |
精确分子量 | 147.87800 |
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氢键供体数量 | 0 |
氢键受体数量 | 0 |
可旋转化学键数量 | 0 |
同位素质量 | 143.847177 |
重原子数量 | 2 |
复杂度 | 10 |
同位素原子数量 | 0 |
确定原子立构中心数量 | 0 |
不确定原子立构中心数量 | 0 |
确定化学键立构中心数量 | 0 |
不确定化学键立构中心数量 | 0 |
共价键单元数量 | 1 |
疏水参数计算参考值(XlogP) | 无 |
互变异构体数量 | 无 |
表面电荷 | 0 |
拓扑分子极性表面积 | 0 |
符号: | GHS06 GHS09 |
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RTECS号 | LW8800000 |
WGK Germany | 3 |
安全术语 | 6.1 |
安全说明 | S20/21; S28; S45; S60; S61 |
包装等级 | II |
包装类别 | II |
风险术语 | R23/25 |
危险等级 | 6.1 |
危险品标志 | T N |
危险品运输编号 | UN 1557 6.1/PG 2 |
危害声明 | H301,H331,H410 |
警示性声明 | P261,P273,P301+P310,P311,P501 |
储存条件 | 库房通风低温干燥 |
PackingGroup | II |
危险类别码 | 45-48/23 |
信号词 | Danger |
TSCA | Yes |
HazardClass | 6.1 |
FLUKA BRAND F CODES | 10 |
EINECS | 215-114-8 |
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海关编码 | 2853009022 |
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海关数据 |
中国海关编码:2853009022 |
PubChemId | 24883832 |
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Beilstein | 215-114-8 |
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砷化镓物理化学性质
熔点:1238°C
密度:5.31 g/mL at 25 °C(lit.)
砷化镓用途
用作半导体材料
砷化镓安全危害特性
类别:有毒物品
毒性分级:中毒
急性毒性:腹腔-大鼠LD30: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LD50: 4700 毫克/公斤
可燃性危险特性:可燃;燃烧产生有毒砷化物烟雾
灭火剂:干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
职业标准:CL 0.002 (砷)/立方米/15分
砷化镓储运特性
库房通风低温干燥
砷化镓优点
GaAs拥有一些较还要好的电子特性,使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时,GaAs会产生较少的声音。也因为GaAs有较高的崩溃压,所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性,GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。GaAs曾用来做成甘恩二极管、微波二极管和耿氏二极管)以发射微波。
GaAs的的另一个优点:它是直接能隙的材料,所以可以用来发光。而Si是间接能隙的材料,只能发射非常微弱的光。(但是,最近的技术已经可以用Si做成LED和运用在雷射。)
砷化镓生产技术
中国掌握“半导体贵族”砷化镓单晶生产技术
作为第二代半导体,砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。2001年7月31日,中国科学家宣布已掌握一种生产这种材料的新技术,使中国成为继日本、德国之后掌握这一技术的又一国家。 北京有色金属研究总院宣布,国内成功拉制出了第一根直径4英寸的VCZ半绝缘砷化镓单晶。
据专家介绍,砷化镓可在一块芯片上同时处理光电数据,因而被广泛应用于遥控、手机、DVD计算机外设、照明等诸多光电子领域。另外,因其电子迁移率比硅高6倍,砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。它还被广泛使用于军事领域,是激光制导导弹的重要材料,曾在海湾战争中大显神威,赢得“砷化镓打败钢铁”的美名。 据悉,砷化镓单晶片的价格大约相当于同尺寸硅单晶片的20至30倍。尽管价格不菲,目前国际上砷化镓半导体的年销售额仍在10亿美元以上。在“十五”计划中,我国将实现该产品的产业化,以占据国际市场。
砷化镓发展前景
2010年5月,新一期英国《自然》杂志报告说,美国研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术,克服了成本上的瓶颈,从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业
美国伊利诺伊大学等机构研究人员报告说,他们开发出的新技术可以生成由砷化镓和砷化铝交叠的多层晶体,然后利用化学物质使砷化镓层分离出来,可同时生成多层砷化镓晶片,大大降低了成本。这些砷化镓晶片可以像“盖章”那样安装到玻璃或塑料等材料表面,然后可使用已有技术进行蚀刻,根据需要制造半导体电路或太阳能电池板。
不过,该技术目前还只能用于批量生产较小的砷化镓晶片,如边长500微米的太阳能电池单元。下一步研究将致力于利用新技术批量生产更大的砷化镓晶片。
砷化镓安全性
GaAs的毒性至今仍没有被很完整的研究。因为它含有As,经研究指出,As是剧毒的。但是,因为GaAs的晶体很稳定,所以如果身体吸收了少量的GaAs,其实是可以忽略的。当要做晶圆抛光制程(磨GaAs晶圆使表面微粒变小)时,表面的区域会和水起反应,释放或分解出少许的As。就环境、健康和安全等方面来看GaAs时,及金属有机化合物前驱物的工业卫生监控研究,都最近指出以上的观点。